物理学科Seminar第519讲
报告题目（Title）： 极宽能隙半导体氧化镓材料研究概况 (The wide bangap semiconductor Ga2O3)
报 告 人（Speaker）： 夏长泰 研究员 （中国科学院上海光学精密机械研究所）
报告时间（Time）：2020年1月2日（周四）上午10:00-11:30
报告地点（Place）：校本部G309
邀请人（inviter）：查访星
摘要（Abstract）：
高品质掺质氧化镓半导体单晶的制备及其性能调控是实现氧化镓半导体材料与器件应用的关键之一。氧化镓半导体的禁带极宽。本报告将讨论我们在这一方面的具体实践，并简要分析其未来发展趋势。，目前其 n 型掺质有多个方案；初步实验亦表明 p 型氧化镓可以实现。本报告主要讨论 n 型氧化镓的新掺质方案及其结果，重点是掺质氧化镓的基本物理特性及其在氧化镓半导体材料与器件应用方面的意义。亦将探讨在氧化镓半导体应用上如何充分发挥源头创新之价值。
